Виявлений Samsung матеріал здатний перевернути світ напівпровідників
Дослідницька команда Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) спільно з UNIST та Кембриджським університетом оголосили про відкриття нового матеріалу – аморфного нітриду бору (a-BN). Як запевняє компанія, дана знахідка цілком може прискорити появу напівпровідників наступного покоління.
У компанії пообіцяли, що аморфний нітрид бору будуть застосовувати в напівпровідниках, в тому числі в рішеннях DRAM і NAND.
Не пропустіть Графенова "броня" поліпшила характеристики сонячних панелей
Що дає новий матеріал
Аморфний нітрид бору складається з атомів бору і азоту з аморфною структурою товщиною в одну молекулу. Він був отриманий з "білого графена" – нітриду бору, в якому атоми бору і азоту збудовані в кристалічну решітку у формі шестикутника. Саме в розташуванні елементів криється ключова відмінність між матеріалами.
Новий матеріал застосують в розробці напівпровідників наступного покоління
За словами дослідників, аморфний нітрид бору має кращу в своєму класі наднизьку діелектричну проникність 1,78. Крім того, даний матеріал характеризується сильними електричними й механічними властивостями. Він може використовуватися у ролі ізоляції в з'єднаннях для мінімізації електричних перешкод.
Сфера застосування
Новий матеріал можна виробляти в досить великих масштабах при відносно низькій температурі в 400° C. В Samsung мають намір почати використовувати аморфний нітрид бору для створення модулів оперативної (DRAM) і постійної (NAND) пам'яті, однак говорити про терміни появи готової продукції поки ще рано.
Поділитися новиною