Samsung активно працює над 3-нанометровими чіпами: дата релізу
Південнокорейська корпорація Samsung планує розпочати серійне виробництво 3-нанометрових чіпів вже в 2021 році. Окрім того, продукти отримають новий тип транзисторів GAAFET (gate-all-around FET), які Samsung та інші виробники розробляють з початку 2000 років.
Про це повідомляє Tom's Hardware.
Читайте також: Найважливіші розробки 2018 року, які можуть змінити індустрію
GAAFET дає змогу подолати обмеження FinFET (fin field-effect transistor) за рахунок своєї архітектури. У транзисторах GAAFET канали виконуються у вигляді круглих нанопроводников, розташованих горизонтально або вертикально. Затвор обтікає такий канал з усіх боків.
Чим відрізняються GAAFET транзистори від інших
При цьому один транзистор може використовувати кілька каналів. Для порівняння, FinFET передбачає покриття трьох сторін провідного каналу. Розташування затвора навколо каналу знижує потенційні втрати напруги, збільшуючи ефективність роботи транзистора. За рахунок більш низьких напруг живлення при цьому зменшується енергоспоживання.
Принцип роботи FinFET транзисторів
Минулого року Samsung заявила, що вона буде використовувати 4-нанометровий техпроцес з транзисторами GAAFET вже в 2020 році. Експерти галузі скептично ставилися до перспектив випуску GAAFET раніше 2022 року. Однак зараз пан Ванг зазначив, що Samsung напевно запустить технологію раніше, ніж очікувалося.
Більше новин, що стосуються подій зі світу технологій, ґаджетів, штучного інтелекту, а також космосу читайте у розділі Техно
Поділитися новиною