Чипи, які будуть випускати на основі нового процесу, призначаються в першу чергу для високопродуктивних обчислень з низьким споживанням енергії. Надалі планується використовувати їх і в мобільних процесорах.
Цікаво Яка сумна новина: росіяни не можуть активувати смартфони Samsung, ввезені паралельним імпортом
Що відомо
- У новій технології використовується архітектура транзисторів з навколишнім затвором, яку в Samsung називають Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET).
- Ширші канали для електрики в затворах знижують рівень напруги в порівнянні з попередньою архітектурою транзисторів FinFET.
- Канали оточені затворами з усіх чотирьох сторін, що дозволяє пропускати через затвори більше струму, ніж у FinFET.
- У порівнянні з 5-нанометровим техпроцесом, цей скорочує витрату енергії на 45 відсотків і підвищує продуктивність на 23 відсотки. Площа поверхні при цьому зменшилася на 16 відсотків.
- Також Samsung стверджує, що 3-нанометровий процес забезпечує більш гнучкий дизайн, при якому можливо підганяти ширину каналу під вимоги замовника.
- Друге покоління 3-нанометрового техпроцесу з підвищеною енергоефективністю, продуктивністю і площею поверхні вже в роботі, заявили в компанії.
Основний конкурент Samsung, тайванський виробник напівпровідників TSMC теж готується почати випуск 3-нанометрової продукції в другому півріччі 2022-го. Samsung випередила TSMC й може вибороти більше замовлень від великих клієнтів на кшталт Qualcomm. Компанія не уточнила, для якого замовника почала масове виробництво нових чипів.