Чипы, которые будут выпускаться на основе нового процесса, предназначены в первую очередь для высокопроизводительных вычислений с низким потреблением энергии. В дальнейшем планируется использовать их и в мобильных процессорах.
Интересно В России не могут активировать смартфоны Samsung, ввезенные параллельным импортом
Что известно
- В новой технологии используется архитектура транзисторов с окружающим затвором, которую Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET).
- Более широкие каналы для электричества в затворах снижают уровень напряжения по сравнению с предыдущей архитектурой транзисторов FinFET.
- Каналы окружены затворами со всех четырех сторон, что позволяет пропускать через затворы большее количество тока, чем у FinFET.
- По сравнению с 5-нанометровым техпроцессом, этот сокращает расход энергии на 45 процентов и повышает производительность на 23 процента. Площадь поверхности при этом снизилась на 16 процентов.
- Также Samsung утверждает, что 3-нанометровый процесс обеспечивает более гибкий дизайн, при котором можно подгонять ширину канала под требования заказчика.
- Второе поколение 3-нанометрового техпроцесса с повышенной энергоэффективностью, производительностью и площадью поверхности уже в работе, заявили в компании.
Основной конкурент Samsung, тайваньский производитель полупроводников TSMC, тоже готовится начать выпуск 3-нанометровой продукции во втором полугодии 2022-го. Samsung опередила TSMC и может отвоевать больше заказов от крупных клиентов вроде Qualcomm. Компания не уточнила, для какого заказчика начала производство новых чипов.