Благодаря новой системе, уже на первом этапе испытаний удалось удвоить производительность микросхем и снизить уровень энергопотребления на 85%. Благодаря новой технологии, производители, например, могут создать чипы для современных смартфонов, которые смогут обходиться без подзарядки неделю.
Не пропустите Galaxy Z Fold3/Z Flip3: преимущества третьего поколения революционных складных смартфонов Samsung
Система радикально отличается от современных моделей, у которых транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону. Чип с "вертикальными транспортными полевыми транзисторами" (VTFET) подразумевает многослойную конструкцию – в таких процессорах транзисторы расположены как параллельно, так и перпендикулярно друг другу, а ток течет вертикально.
Почему это очень важная разработка
Конструкция дает два ключевых преимущества для потенциальных клиентов IBM и Samsung. В первую очередь она позволяет обойти ограничение производительности и в будущем расширит "закон Мура". Авторы хотят выйти за пределы существующей технологии нанолистов.
Инженеры отметили, что новая технология может пригодиться и для добычи криптовалюты, что позволит сделать этот процесс более энергоэффективным и, следовательно, менее вредным для окружающей среды.
Кстати, кроме Samsung и IBM над аналогичными микросхемами также работают в компании Intel. В недавнем исследовании, посвященном технологическому прогрессу после 2025 года, аналитики Intel заявили, что вскоре крупнейшие ИТ-компании начнут переходить на трехмерные чипы – разработка станет более сложной и более дорогой, но сами технологии – на порядок более производительными.