Завдяки новій системі вже на першому етапі випробувань вдалося подвоїти продуктивність мікросхем та знизити рівень енергоспоживання на 85%. Завдяки новій технології виробники, наприклад, можуть створити чипи для сучасних смартфонів, які зможуть обходитися без підзарядки тиждень.
Не пропустіть Galaxy Z Fold3 / Z Flip3: переваги третього покоління революційних складаних смартфонів Samsung
Система радикально відрізняється від сучасних моделей, у яких транзистори лежать на поверхні кремнію, поруч один з одним, а електричний струм тече з боку в бік. Чип з "вертикальними транспортними польовими транзисторами" (VTFET) передбачає багатошарову конструкцію – у таких процесорах транзистори розташовані як паралельно, так і перпендикулярно одне одному, а струм тече вертикально.
Чому це дуже важлива розробка
Конструкція дає дві ключові переваги для потенційних клієнтів IBM та Samsung. Насамперед вона надає змогу обійти обмеження продуктивності й у майбутньому розширить "закон Мура". Автори хочуть вийти за межі існуючої технології нанолистів.
Інженери відзначили, що нова технологія може стати в пригоді й для видобування криптовалюти, що дасть змогу зробити цей процес більш енергоефективним і, отже, менш шкідливим для довкілля.
До речі, крім Samsung та IBM, над аналогічними мікросхемами також працюють у компанії Intel. У недавньому дослідженні, присвяченому технологічному прогресу після 2025 року, аналітики Intel заявили, що незабаром найбільші ІТ-компанії почнуть переходити на тривимірні чипи – розробка стане складнішою і дорожчою, але самі технології – на порядок продуктивнішими.